Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Devices
Pierre Ruterana · Martin Albrecht · Jörg Neugebauer
May 2006 · John Wiley & Sons
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About this ebook
Halbleiter-Bauelemente auf Silizium-Basis finden seit Jahren ein breites Einsatzfeld. Diese metallischen Halbleiter sind gut erforscht und technologisch erschlossen. Nun hat eine neue Materialgruppe auf sich aufmerksam gemacht: Keramische Halbleiter auf Nitrid-Basis sind aufgrund ihrer optischen und elektronischen Eigenschaften zum aktuellen Gegenstand der Forschung geworden. Für die Industrie eröffnen sich neue Anwendungen im Bereich der Fotosensoren, als moderne Lichtquellen oder als Bauteile in der Elektronik.
Die vorliegende Sammlung längerer Übersichtsartikel ermöglicht ein systematisches und tiefgehendes Studium der Thematik. In kompakter und umfassender Form sowie auf hohem und aktuellem Niveau werden Informationen über die physikalischen Grundlagen und neueste Erkenntnisse zu diesem Materialsystem bereitgestellt. Die Beiträge befassen sich mit den physikalischen Vorgängen bei der Herstellung, d.h. dem Wachstum dieser Halbleiter, der atomaren Struktur und den darauf beruhenden Eigenschaften sowie zukünftigen industriellen Anwendungen. Ein Buch von großer Relevanz für alle, die in der angewandten Materialforschung und der Halbleiterindustrie tätig sind.
Die vorliegende Sammlung längerer Übersichtsartikel ermöglicht ein systematisches und tiefgehendes Studium der Thematik. In kompakter und umfassender Form sowie auf hohem und aktuellem Niveau werden Informationen über die physikalischen Grundlagen und neueste Erkenntnisse zu diesem Materialsystem bereitgestellt. Die Beiträge befassen sich mit den physikalischen Vorgängen bei der Herstellung, d.h. dem Wachstum dieser Halbleiter, der atomaren Struktur und den darauf beruhenden Eigenschaften sowie zukünftigen industriellen Anwendungen. Ein Buch von großer Relevanz für alle, die in der angewandten Materialforschung und der Halbleiterindustrie tätig sind.
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About the author
Isabella Grzegory, High Pressure Research Center, Poland
Pierre Gibart, CRHEA-CNRS, France
A. Georgakilas, Microelectronics Research Group, Greece
Agnès Trassoudaine, Université Blaise Pascal, France
V. Yu. Davydov, Polytekhnicheskaya, Russia
Jörg Neugebauer, Fritz-Haber-Institut der MPG, Germany
Ph. Komninou, Aristotle University of Thessaloniki, Greece
Pierre Ruterana, ESCTM-CRISMAT, France
P. J. Hartlieb, North Carolina State University, Raleigh, USA
H. Amano, Meijo University, Japan
Hadis Morkoç, Virginia Commonwealth University, USA
Franck Omnes, CRHEA/CNRS, France
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