Transistoren: Physikalische Grundlagen und Eigenschaften
Okt 2013 · Springer-Verlag
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510
Amakhasi
reportIzilinganiso nezibuyekezo aziqinisekisiwe Funda Kabanzi
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Als vor nunmehr rd. 15 Jahren das Transistorprinzip bekannt wurde, ahnte wohl niemand die technische Tragweite dieser Entdeckung. In der Zwischenzeit stiegen die Produktions zahlen dieser Bauelemente von Jahr zu Jahr. Allein in. r apan erwartete man für 1964 etwa 300 Millionen Transistoren. Das ist um so bemerkenswerter, als der Transistor von Anfang an keine sehr günstige Startbasis hatte, denn die ersten Spitzentransistoren waren keine besonders zuverlässigen Bauelemente. In der Zwischenzeit wurde und wird noch in vielen Laboratorien unentwegt gearbeitet, um aus dem "aus der Physik der Dreckeffekte" hervor_ gegangenen Bauelement ein solches ho her Zuverlässigkeit und möglichst flexibler elektrischer Eigenschaften zu erhalten. Darüber hinaus wurde der Transistor zum Keim einer neuen Technik, der Mikroelektronik, die zweifelsohne das Gepräge der Schaltungstechnik in nicht allzu ferner Zeit verschieben wird. Die in der Vergangenheit durchlaufene Entwicklung des Transistors geschah in starkem Maße unter Beibehaltung des Minoritätssteuerprinzips und ist durch die Etappen: Flüchen transistor mit homogener Basis, Drift-, Mesa-, Epitaxial-und Plan ar transistor gekennzeich net. Es kann bereits heute als wahrscheinlich gelten, daß diese Konstruktionen gewisse Voll kommenheit besitzen und die Grenzen der Entwicklung abzusehen sind, falls nicht bisher unbekannte Effekte Verlagerungen bringen. Gewiß werden sich durch Anwendung neuer Materialien und sonstige Verbesserungen neue Typen mit besseren Kennwerten und Eigen schaften herstellen lassen, doch an der prinzipiellen Wirkungsweise wird sich wenig ändern
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