Sic Materials And Devices - Volume 1
Sergey Rumyantsev · Michael S Shur · Michael E Levinshtein
2006. g. jūl. · Selected Topics In Electronics And Systems 40. grāmata · World Scientific
5,0star
1 atsauksmereport
E-grāmata
344
Lappuses
family_home
Piemērota
info
reportAtsauksmes un vērtējumi nav pārbaudīti. Uzzināt vairāk
Par šo e-grāmatu
After many years of research and development, silicon carbide has emerged as one of the most important wide band gap semiconductors. The first commercial SiC devices — power switching Schottky diodes and high temperature MESFETs — are now on the market. This two-volume book gives a comprehensive, up-to-date review of silicon carbide materials properties and devices. With contributions by recognized leaders in SiC technology and materials and device research, SiC Materials and Devices is essential reading for technologists, scientists and engineers who are working on silicon carbide or other wide band gap materials and devices. The volumes can also be used as supplementary textbooks for graduate courses on silicon carbide and wide band gap semiconductor technology.
Vērtējumi un atsauksmes
5,0
1 atsauksme
Novērtējiet šo e-grāmatu
Izsakiet savu viedokli!
Informācija lasīšanai
Viedtālruņi un planšetdatori
Instalējiet lietotni Google Play grāmatas Android ierīcēm un iPad planšetdatoriem/iPhone tālruņiem. Lietotne tiks automātiski sinhronizēta ar jūsu kontu un ļaus lasīt saturu tiešsaistē vai bezsaistē neatkarīgi no jūsu atrašanās vietas.
Klēpjdatori un galddatori
Varat klausīties pakalpojumā Google Play iegādātās audiogrāmatas, izmantojot datora tīmekļa pārlūkprogrammu.
E-lasītāji un citas ierīces
Lai lasītu grāmatas tādās elektroniskās tintes ierīcēs kā Kobo e-lasītāji, nepieciešams lejupielādēt failu un pārsūtīt to uz savu ierīci. Izpildiet palīdzības centrā sniegtos detalizētos norādījumus, lai pārsūtītu failus uz atbalstītiem e-lasītājiem.
