Robust SRAM Designs and Analysis
aug. 2012 · Springer Science & Business Media
E-bok
168
Sidor
reportBetyg och recensioner verifieras inte Läs mer
Om den här e-boken
This book provides a guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis to meet the nano-regime challenges for CMOS devices and emerging devices, such as Tunnel FETs. Since process variability is an ongoing challenge in large memory arrays, this book highlights the most popular SRAM bitcell topologies (benchmark circuits) that mitigate variability, along with exhaustive analysis. Experimental simulation setups are also included, which cover nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis. Emphasis is placed throughout the book on the various trade-offs for achieving a best SRAM bitcell design.
- Provides a complete and concise introduction to SRAM bitcell design and analysis;
- Offers techniques to face nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis;
- Includes simulation set-ups for extracting different design metrics for CMOS technology and emerging devices;
- Emphasizes different trade-offs for achieving the best possible SRAM bitcell design.
Betygsätt e-boken
Berätta vad du tycker.
Läsinformation
Smartphones och surfplattor
Installera appen Google Play Böcker för Android och iPad/iPhone. Appen synkroniseras automatiskt med ditt konto så att du kan läsa online eller offline var du än befinner dig.
Laptops och stationära datorer
Du kan lyssna på ljudböcker som du har köpt på Google Play via webbläsaren på datorn.
Läsplattor och andra enheter
Om du vill läsa boken på enheter med e-bläck, till exempel Kobo-läsplattor, måste du ladda ned en fil och överföra den till enheten. Följ anvisningarna i hjälpcentret om du vill överföra filerna till en kompatibel läsplatta.
