Robust SRAM Designs and Analysis
2012 оны 8-р сар · Springer Science & Business Media
Электрон ном
168
Хуудас
reportҮнэлгээ болон шүүмжийг баталгаажуулаагүй Нэмэлт мэдээлэл авах
Энэ электрон номын тухай
This book provides a guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis to meet the nano-regime challenges for CMOS devices and emerging devices, such as Tunnel FETs. Since process variability is an ongoing challenge in large memory arrays, this book highlights the most popular SRAM bitcell topologies (benchmark circuits) that mitigate variability, along with exhaustive analysis. Experimental simulation setups are also included, which cover nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis. Emphasis is placed throughout the book on the various trade-offs for achieving a best SRAM bitcell design.
- Provides a complete and concise introduction to SRAM bitcell design and analysis;
- Offers techniques to face nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis;
- Includes simulation set-ups for extracting different design metrics for CMOS technology and emerging devices;
- Emphasizes different trade-offs for achieving the best possible SRAM bitcell design.
Энэ электрон номыг үнэлэх
Санал бодлоо хэлнэ үү.
Унших мэдээлэл
Ухаалаг утас болон таблет
Андройд болон iPad/iPhone-д Google Ном Унших аппыг суулгана уу. Үүнийг таны бүртгэлд автоматаар синк хийх бөгөөд та хүссэн газраасаа онлайн эсвэл офлайнаар унших боломжтой.
Зөөврийн болон ердийн компьютер
Та компьютерийн веб хөтчөөр Google Play-с авсан аудио номыг сонсох боломжтой.
eReaders болон бусад төхөөрөмжүүд
Kobo Цахим ном уншигч гэх мэт e-ink төхөөрөмжүүд дээр уншихын тулд та файлыг татаад төхөөрөмж рүүгээ дамжуулах шаардлагатай болно. Файлуудаа дэмжигддэг Цахим ном уншигч руу шилжүүлэхийн тулд Тусламжийн төвийн дэлгэрэнгүй зааварчилгааг дагана уу.
