Oxygen in Silicon
R. K. Willardson · Eicke R. Weber · Albert C. Beer · Fumio Shimura
серп. 1994 р. · Semiconductors and Semimetals Книга 42 · Academic Press
Електронна книга
679
Сторінки
family_home
Можна додати
info
reportGoogle не перевіряє оцінки й відгуки. Докладніше.
Про цю електронну книгу
This volume reviews the latest understanding of the behavior and roles of oxygen in silicon, which will carry the field into the ULSI era from the experimental and theoretical points of view. The fourteen chapters, written by recognized authorities representing industrial and academic institutions, cover thoroughly the oxygen related phenomena from the crystal growth to device fabrication processes, as well as indispensable diagnostic techniques for oxygen. - Comprehensive study of the behavior of oxygen in silicon - Discusses silicon crystals for VLSI and ULSI applications - Thorough coverage from crystal growth to device fabrication - Edited by technical experts in the field - Written by recognized authorities from industrial and academic institutions - Useful to graduate students, scientists in other disciplines, and active participants in the arena of silicon-based microelectronics research - 297 original line drawings
Оцініть цю електронну книгу
Повідомте нас про свої враження.
Як читати
Смартфони та планшети
Установіть додаток Google Play Книги для Android і iPad або iPhone. Він автоматично синхронізується з вашим обліковим записом і дає змогу читати книги в режимах онлайн і офлайн, де б ви не були.
Портативні та настільні комп’ютери
Ви можете слухати аудіокниги, куплені в Google Play, у веб-переглядачі на комп’ютері.
eReader та інші пристрої
Щоб користуватися пристроями для читання електронних книг із технологією E-ink, наприклад Kobo, вам знадобиться завантажити файл і перенести його на відповідний пристрій. Докладні вказівки з перенесення файлів на підтримувані пристрої можна знайти в Довідковому центрі.
