Oxygen in Silicon
R. K. Willardson · Eicke R. Weber · Albert C. Beer · Fumio Shimura
אוג׳ 1994 · Semiconductors and Semimetals ספר 42 · Academic Press
ספר דיגיטלי
679
דפים
family_home
כשיר
info
reportהביקורות והדירוגים לא מאומתים מידע נוסף
מידע על הספר הדיגיטלי הזה
This volume reviews the latest understanding of the behavior and roles of oxygen in silicon, which will carry the field into the ULSI era from the experimental and theoretical points of view. The fourteen chapters, written by recognized authorities representing industrial and academic institutions, cover thoroughly the oxygen related phenomena from the crystal growth to device fabrication processes, as well as indispensable diagnostic techniques for oxygen. - Comprehensive study of the behavior of oxygen in silicon - Discusses silicon crystals for VLSI and ULSI applications - Thorough coverage from crystal growth to device fabrication - Edited by technical experts in the field - Written by recognized authorities from industrial and academic institutions - Useful to graduate students, scientists in other disciplines, and active participants in the arena of silicon-based microelectronics research - 297 original line drawings
רוצה לדרג את הספר הדיגיטלי הזה?
נשמח לשמוע מה דעתך.
איך קוראים את הספר
סמארטפונים וטאבלטים
כל מה שצריך לעשות הוא להתקין את האפליקציה של Google Play Books ל-Android או ל-iPad/iPhone. היא מסתנכרנת באופן אוטומטי עם החשבון שלך ומאפשרת לך לקרוא מכל מקום, גם ללא חיבור לאינטרנט.
מחשבים ניידים ושולחניים
ניתן להאזין לספרי אודיו שנרכשו ב-Google Play באמצעות דפדפן האינטרנט של המחשב.
eReaders ומכשירים אחרים
כדי לקרוא במכשירים עם תצוגת דיו אלקטרוני (e-ink) כמו הקוראים האלקטרוניים של Kobo, צריך להוריד קובץ ולהעביר אותו למכשיר. יש לפעול לפי ההוראות המפורטות במרכז העזרה כדי להעביר את הקבצים לקוראים אלקטרוניים נתמכים.
