Oxygen in Silicon
R. K. Willardson · Eicke R. Weber · Albert C. Beer · Fumio Shimura
elo 1994 · Semiconductors and Semimetals Kirja 42 · Academic Press
E-kirja
679
sivuja
family_home
Kelvollinen
info
reportArvioita ja arvosteluja ei ole vahvistettu Lue lisää
Tietoa tästä e-kirjasta
This volume reviews the latest understanding of the behavior and roles of oxygen in silicon, which will carry the field into the ULSI era from the experimental and theoretical points of view. The fourteen chapters, written by recognized authorities representing industrial and academic institutions, cover thoroughly the oxygen related phenomena from the crystal growth to device fabrication processes, as well as indispensable diagnostic techniques for oxygen. - Comprehensive study of the behavior of oxygen in silicon - Discusses silicon crystals for VLSI and ULSI applications - Thorough coverage from crystal growth to device fabrication - Edited by technical experts in the field - Written by recognized authorities from industrial and academic institutions - Useful to graduate students, scientists in other disciplines, and active participants in the arena of silicon-based microelectronics research - 297 original line drawings
Arvioi tämä e-kirja
Kerro meille mielipiteesi.
Tietoa lukemisesta
Älypuhelimet ja tabletit
Asenna Google Play Kirjat ‑sovellus Androidille tai iPadille/iPhonelle. Se synkronoituu automaattisesti tilisi kanssa, jolloin voit lukea online- tai offline-tilassa missä tahansa oletkin.
Kannettavat ja pöytätietokoneet
Voit kuunnella Google Playsta ostettuja äänikirjoja tietokoneesi selaimella.
Lukulaitteet ja muut laitteet
Jos haluat lukea kirjoja sähköisellä lukulaitteella, esim. Kobo-lukulaitteella, sinun täytyy ladata tiedosto ja siirtää se laitteellesi. Siirrä tiedostoja tuettuihin lukulaitteisiin seuraamalla ohjekeskuksen ohjeita.
