Ferroelectric Memories
James F. Scott
2013. g. jūn. · Springer Series in Advanced Microelectronics 3. grāmata · Springer Science & Business Media
5,0star
1 atsauksmereport
E-grāmata
248
Lappuses
reportAtsauksmes un vērtējumi nav pārbaudīti. Uzzināt vairāk
Par šo e-grāmatu
Ferroelectric memories have changed in 10 short years from academic curiosities of the university research labs to commercial devices in large-scale production. This is the first text on ferroelectric memories that is not just an edited collection of papers by different authors. Intended for applied physicists, electrical engineers, materials scientists and ceramists, it includes ferroelectric fundamentals, especially for thin films, circuit diagrams and processsing chapters, but emphazises device physics. Breakdown mechanisms, switching kinetics and leakage current mechanisms have lengthly chapters devoted to them. The book will be welcomed by research scientists in industry and government laboratories and in universities. It also contains 76 problems for students, making it particularly useful as a textbook for fourth-year undergraduate or first-year graduate students.
Vērtējumi un atsauksmes
5,0
1 atsauksme
Novērtējiet šo e-grāmatu
Izsakiet savu viedokli!
Informācija lasīšanai
Viedtālruņi un planšetdatori
Instalējiet lietotni Google Play grāmatas Android ierīcēm un iPad planšetdatoriem/iPhone tālruņiem. Lietotne tiks automātiski sinhronizēta ar jūsu kontu un ļaus lasīt saturu tiešsaistē vai bezsaistē neatkarīgi no jūsu atrašanās vietas.
Klēpjdatori un galddatori
Varat klausīties pakalpojumā Google Play iegādātās audiogrāmatas, izmantojot datora tīmekļa pārlūkprogrammu.
E-lasītāji un citas ierīces
Lai lasītu grāmatas tādās elektroniskās tintes ierīcēs kā Kobo e-lasītāji, nepieciešams lejupielādēt failu un pārsūtīt to uz savu ierīci. Izpildiet palīdzības centrā sniegtos detalizētos norādījumus, lai pārsūtītu failus uz atbalstītiem e-lasītājiem.
