Ferroelectric Memories
James F. Scott
kesä 2013 · Springer Series in Advanced Microelectronics Kirja 3 · Springer Science & Business Media
5,0star
1 arvostelureport
E-kirja
248
sivuja
reportArvioita ja arvosteluja ei ole vahvistettu Lue lisää
Tietoa tästä e-kirjasta
Ferroelectric memories have changed in 10 short years from academic curiosities of the university research labs to commercial devices in large-scale production. This is the first text on ferroelectric memories that is not just an edited collection of papers by different authors. Intended for applied physicists, electrical engineers, materials scientists and ceramists, it includes ferroelectric fundamentals, especially for thin films, circuit diagrams and processsing chapters, but emphazises device physics. Breakdown mechanisms, switching kinetics and leakage current mechanisms have lengthly chapters devoted to them. The book will be welcomed by research scientists in industry and government laboratories and in universities. It also contains 76 problems for students, making it particularly useful as a textbook for fourth-year undergraduate or first-year graduate students.
Arviot ja arvostelut
5,0
1 arvostelu
Arvioi tämä e-kirja
Kerro meille mielipiteesi.
Tietoa lukemisesta
Älypuhelimet ja tabletit
Asenna Google Play Kirjat ‑sovellus Androidille tai iPadille/iPhonelle. Se synkronoituu automaattisesti tilisi kanssa, jolloin voit lukea online- tai offline-tilassa missä tahansa oletkin.
Kannettavat ja pöytätietokoneet
Voit kuunnella Google Playsta ostettuja äänikirjoja tietokoneesi selaimella.
Lukulaitteet ja muut laitteet
Jos haluat lukea kirjoja sähköisellä lukulaitteella, esim. Kobo-lukulaitteella, sinun täytyy ladata tiedosto ja siirtää se laitteellesi. Siirrä tiedostoja tuettuihin lukulaitteisiin seuraamalla ohjekeskuksen ohjeita.
