Ferroelectric Memories
James F. Scott
červen 2013 · Springer Series in Advanced Microelectronics Kniha 3 · Springer Science & Business Media
5,0star
1 recenzereport
E‑kniha
248
Stránky
reportHodnocení a recenze nejsou ověřeny Další informace
Podrobnosti o e‑knize
Ferroelectric memories have changed in 10 short years from academic curiosities of the university research labs to commercial devices in large-scale production. This is the first text on ferroelectric memories that is not just an edited collection of papers by different authors. Intended for applied physicists, electrical engineers, materials scientists and ceramists, it includes ferroelectric fundamentals, especially for thin films, circuit diagrams and processsing chapters, but emphazises device physics. Breakdown mechanisms, switching kinetics and leakage current mechanisms have lengthly chapters devoted to them. The book will be welcomed by research scientists in industry and government laboratories and in universities. It also contains 76 problems for students, making it particularly useful as a textbook for fourth-year undergraduate or first-year graduate students.
Hodnocení a recenze
5,0
1 recenze
Ohodnotit e‑knihu
Sdělte nám, co si myslíte.
Informace o čtení
Telefony a tablety
Nainstalujte si aplikaci Knihy Google Play pro Android a iPad/iPhone. Aplikace se automaticky synchronizuje s vaším účtem a umožní vám číst v režimu online nebo offline, ať jste kdekoliv.
Notebooky a počítače
Audioknihy zakoupené na Google Play můžete poslouchat pomocí webového prohlížeče v počítači.
Čtečky a další zařízení
Pokud chcete číst knihy ve čtečkách elektronických knih, jako např. Kobo, je třeba soubor stáhnout a přenést do zařízení. Při přenášení souborů do podporovaných čteček elektronických knih postupujte podle podrobných pokynů v centru nápovědy.
